بررسي تئوري ترانزيستور هاي MESFET شامل مراحل ساخت ، فيزيك الكترونيك و تحليل انتقال الكترون بصورت تئوري به روش مونت كارلو  105ص

قیمت : 11.000 تومان

فهرست مطالب

- مقدمه 1

- ترانزيستورهاي اثر ميداني           1

- ماسفت (MEFSET)     2

فصل اول : نيمه هادي GaAs

بخش 1-1 : نيمه هادي GaAs       5

 1-1-1 : مقدمه   5

 2-1-1 : خواص فيزيکي نيمه هادي GaAs    5

 3-1-1 : چگالي حامل       9

 1-1-3-1 : خواص زير لايه ذاتي       9

 2-1-3-1 : خواص سطحي 11

 3-1-3-1 : چگالي حامل غير ذاتي   13

 4-1-1 : حرکت حامل        16

 1-4-1-1 : حالت ميدان ضعيف        16

 2-4-1-1 : شرايط ميدان قوی         18

بخش 2-1 : جبران سازي در کريستال GaAs             21

بخش 3-1 : مباني نظري MESFET           23

 1-3-1 : مقدمه   23

 2-3-1 : پيوند فلز – نيمه هادي(شاتکي)      23

بخش 4-1 : مباني نظري ترانزيستور فلز – نيمه هادي MESFET          31

 1-4-1 : مقدمه   31

 2-4-1 : اصول عملکرد       34

فصل دوم : مدل سيگنال کوچک MESFET

بخش 1-2 : مدل سيگنال کوچک MESFET 39

 1-1-2 : المانهاي غير ذاتي            40

 2-1-2 : المانهاي ذاتي     40

 3-1-2 : زمان ارسال ، (زمان تأخير ترنس کندوکتانس)             42

 4-1-2 : انتخاب مدل مناسب ترانزيستور       42

 5-1-2 : محدوديت فرکانس بالا در ترانزيستور             42

بخش 2-2 : بررسي رفتار نويز در ترانزيستورMESFET            43

بخش 3-2 : بدست آوردن پارامتر هاي ترانزيستور تنها با استفاده پارامترها پراکندگي         46

- مقدمه 46

بخش 4-2 : محاسبه مدار معادل المانهاي غير ذاتي    50

 1-4-2 : محاسبه سلفها و مقاومتهاي غير ذاتي        50

 2-4-2 : محاسبه خازنهاي غير ذاتي Cpd,Cpg         52

 3-4-2 : بدست آوردن مدار معادل ترانزيستور NE76000         53

 با استفاده از پارامترهاي پراکندگي

فصل سوم : روش مونت کارلو

بخش 1-3 : مقدمه           56

بخش 2-3 : روش تك ذره مونت كارلو (101)   56

 1-2-3 : زمان حركت آزاد    57

 2-2-3 : انتخاب فرآيند پراكندگي      58

 3-2-3 : تعيين وضعيت جديد بردار موج         59

 1-3-2-3 : پراكندگي از ناخالصي هاي يونيزه شده      60

 2-3-2-3 : پراكندگي از فونونهاي صوتي        60

 3-3-2-3 : پراكندگي از فونونهاي نوري غير قطبي       61

 4-3-2-3 : پراكندگي از فونهاي نوري قطبي   62

 5-3-2-3 : پراكندگي الكترون-الكترون            62

 4-2-3 : اصلاح دستگاه مختصات     63

 5-2-3 : اثرات غير سهمي بودن نوار انرژي    64

بخش 3-3 : روش دسته جمعي مونت كارلو (101)      67

بخش 4-3 : شبيه سازي مونت كارلو در ادوات نيمه هادي (101)           68

 1-4-3 : شرايط مرزي        69

 1-1-4-3 : شرايط مرزي براي پتانسيل          69

 2-1-4-3 : شرايط مرزي براي ذرات در روش دسته جمعي مونت کارلو     70

 2-4-3 : گسسته سازي ناحيه شبيه سازي 70

 3-4-3 : تعيين پله هاي زماني       71

 4-4-3 : ابر ذره    72

 5-4-3 : روش ذره – مش PM        72

 1-5-4-3 : تخصيص ذرات به گره هاي مش    73

 2-5-4-3 : حل معادله پواسن         76

 3-5-4-3 : روش هاي عددي حل معادله پواسن          78

- ضميمه 1          80

- ضميمه 2          81

فصل چهارم : تاثير خواص مواد نيم رسانا و ساختار مسفت بر مشخصه هاي انتقال الکترون در افزاره (شبيه سازي مونت کارلو)

- چکيده             84

بخش 1-4 : مقدمه           84

بخش 2-4 : مسفت In0.53Ga0.47As       86

بخش 3-4 : ترانزيستور مسفت InP             91

بخش 4-4 : ترانزيستور مسفت In0.53Ga0.47As با سورس InP        94

بخش 5-4 : نتيجه گيري    95

- منابع   98

نظرات شما عزیزان:

نام :

آدرس ایمیل:

وب سایت/بلاگ :

متن پیام:

نظر خصوصی

 کد را وارد نمایید:

 

 

 

عکس شما

آپلود عکس دلخواه: